[发明专利]一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110381259.5 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206824A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 孟庆国;王海东;朱小庆;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;C30B33/12;F17D1/02;F17D3/01 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 马严龙 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控制多进气管路组合进气装置及刻蚀方法，进气管路设置于真空腔室之上，包括总进气机构、分流进气机构和上腔盖；上腔盖盖合于真空腔室之上，且上腔盖上设有多个分支进气口，利用上腔室不同位置进气，从而使腔室内部不同位置气体浓度不同，通过控制气体在腔室不同位置的浓度，来控制射频启用时气体在腔室内被高频电场电离产生的等离子体浓度不同，产生的等离子体与晶圆表面刻蚀层物质发生反应进行刻蚀或等离子体之间生成某种物质沉积在晶圆表面，通过控制腔室不同位置气体浓度及生成等离子体浓度不同，从而控制晶圆各位置在腔室内刻蚀或沉积镀膜速度不同，达到控制调节刻蚀与镀膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 多进气 管路 组合 装置 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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