[发明专利]垂直存储器装置

摘要

提供了垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：第一栅电极结构，位于第一基底上，第一栅电极结构包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第一栅电极；第二栅电极结构，位于第一栅电极结构上，并且包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第二栅电极；沟道，延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构；以及接触插塞，沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构，其中，位于第二栅电极的端部处的第二台阶与位于第一栅电极的端部处的第一台阶叠置，其中，接触插塞延伸穿过至少一个第一台阶并穿过至少一个第二台阶，同时仅电连接到第一台阶或仅电连接到第二台阶。