[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：第一栅电极结构，位于第一基底上，第一栅电极结构包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第一栅电极；第二栅电极结构，位于第一栅电极结构上，并且包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状堆叠的第二栅电极；沟道，延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构；以及接触插塞，沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构，其中，位于第二栅电极的端部处的第二台阶与位于第一栅电极的端部处的第一台阶叠置，其中，接触插塞延伸穿过至少一个第一台阶并穿过至少一个第二台阶，同时仅电连接到第一台阶或仅电连接到第二台阶。

于2020年6月3日在韩国知识产权局提交的名称为“垂直存储器装置”的第10-2020-0067209号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种垂直存储器装置。

背景技术

在制造VNAND闪存装置的方法中，接触插塞可以形成为接触一些垂直地堆叠的栅电极。需要有效地形成接触插塞的方法。

发明内容

根据实施例的一方面，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括第一栅电极结构、第二栅电极结构、沟道和接触插塞。第一栅电极结构可以形成在第一基底上，并且可以包括沿与第一基底的上表面基本垂直的第一方向彼此间隔开且以阶梯形状顺序地堆叠的第一栅电极。第二栅电极结构可以形成在第一栅电极结构上，并且可以包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状顺序地堆叠的第二栅电极。沟道可以在第一基底上沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。接触插塞可以沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。分别位于第二栅电极的端部处的第二台阶可以沿第一方向与分别位于第一栅电极的端部处的第一台阶叠置。接触插塞可以延伸穿过一个第一台阶和一个第二台阶，并且可以电连接到仅所述一个第一台阶或仅所述一个第二台阶。

根据实施例的另一方面，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括栅电极结构、沟道和划分图案结构。栅电极结构可以形成在基底上，每个栅电极结构可以包括沿与基底的上表面基本垂直的第一方向彼此间隔开且以阶梯形状顺序地堆叠的栅电极。每个栅电极可以沿与基底的上表面基本平行的第二方向延伸，栅电极结构可以沿与基底的上表面基本平行且与第二方向相交的第三方向彼此间隔开。沟道可以在基底上沿第一方向延伸穿过每个栅电极结构。划分图案结构可以形成在基底上，并且可以包括竖直部分和水平部分。竖直部分可以沿第二方向彼此间隔开并以之字形图案布置，每个竖直部分可以沿第一方向延伸。水平部分可以沿与基底的上表面基本平行的水平方向从每个竖直部分的侧壁延伸。划分图案结构的竖直部分可以经由水平部分彼此连接，使得划分图案结构可以沿第二方向延伸以沿第三方向划分栅电极结构。