[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

第一栅电极结构，位于第一基底上，第一栅电极结构包括沿与第一基底的上表面基本垂直的第一方向彼此间隔开且以阶梯形状顺序地堆叠的第一栅电极；

第二栅电极结构，位于第一栅电极结构上，第二栅电极结构包括沿第一方向彼此间隔开且以阶梯形状顺序地堆叠的第二栅电极；

沟道，在第一基底上沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构；以及

接触插塞，沿第一方向延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构，

其中，位于第二栅电极的相应的端部处的第二台阶沿第一方向与位于第一栅电极的相应的端部处的第一台阶叠置，并且

其中，接触插塞延伸穿过至少一个第一台阶并穿过至少一个第二台阶，接触插塞仅电连接到第一台阶和第二台阶之中的所述至少一个第一台阶或仅电连接到第一台阶和第二台阶之中的所述至少一个第二台阶。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，接触插塞包括：

竖直部分，沿第一方向延伸；以及

突出部分，沿与第一基底的上表面基本平行的水平方向从竖直部分突出，突出部分接触所述至少一个第一台阶或所述至少一个第二台阶。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括覆盖接触插塞的突出部分的侧壁的绝缘图案，绝缘图案包括氮化物并且接触所述至少一个第一台阶或所述至少一个第二台阶。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括部分地覆盖接触插塞的竖直部分的侧壁的绝缘图案，绝缘图案包括氧化物并且接触第一栅电极和第二栅电极中的每个的与接触插塞的竖直部分面对的侧壁。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

栅电极堆叠结构，每个栅电极堆叠结构包括所述第一栅电极结构和所述第二栅电极结构；以及

第一划分图案结构，位于第一基底上，第一划分图案结构沿与第一基底的上表面基本平行的第二方向延伸并沿第三方向将栅电极堆叠结构彼此分离，第三方向与第一基底的上表面基本平行并与第二方向交叉，

其中，第一栅电极和第二栅电极中的每个沿第二方向延伸，第一台阶位于第一栅电极的在第二方向上的端部中的相应的端部处，第二台阶位于第二栅电极的在第二方向上的端部中的相应的端部处，并且

其中，第一划分图案结构的在第三方向上的相对的侧壁中的每个具有在其上的凹入部分和凸出部分。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，第一划分图案结构包括：

划分图案，沿第二方向彼此间隔开，划分图案以之字形图案布置；以及

绝缘图案，位于每个划分图案的侧壁上。

7.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括在第一基底上在每个栅电极堆叠结构的在第三方向上的中心部分处沿第二方向延伸的第二划分图案结构，第二划分图案结构沿第三方向部分地划分每个栅电极堆叠结构，

其中，每个栅电极堆叠结构包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别位于第二划分图案结构的在第三方向上的相对侧处。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中：

接触插塞包括第一接触插塞和第二接触插塞，所述第一接触插塞延伸穿过相应的栅电极堆叠结构的第一部分，所述第二接触插塞延伸穿过相应的栅电极堆叠结构的第二部分，并且

所述第一接触插塞在相应的栅电极堆叠结构的第一部分处电连接到一个第一台阶，并且所述第二接触插塞在相应的栅电极堆叠结构的第二部分处电连接到一个第二台阶。