[发明专利]一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110355178.8 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112736138B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;于世珩;张胜凯;白宗纬 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 刘小吉 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种屏蔽栅‑沟槽型MOSFET的结构及其制造方法。本发明中的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET采用阶梯栅极氧化物构成栅介质层，所述阶梯栅极介质层为n阶氧化物，从沟槽下方到沟槽上方的氧化物厚度分别为D1，D2，……，Dn，其中，D1D2……Dn。本发明中公开的采用阶梯栅极氧化物作为栅介质层的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET结构，可以有效地实现栅极和漏极之间的隔离，减小栅漏电容Cgd，还能使得该MOSFET具有较低的比导通电阻且保持高的击穿电压，提高MOSFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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