[发明专利]外延生长方法、外延结构及光电器件在审
| 申请号： | 202110351699.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097057A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 魏铁石;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨文献;张雪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种外延生长方法、外延结构及光电器件，所述方法包括：S1、对硅衬底表面进行处理；S2、采用迁移增强外延法，在380～510℃低温条件下交替通入/关断ⅢA族源和ⅤA族源，在硅衬底上外延生长III‑V族化合物形核层。本发明在初始形核阶段采用低温生长，能够有效抑制界面的起伏，获得光滑平整的界面，提高外延薄膜的结晶质量；能够抑制异质生长阶段的反相畴，减少孪晶、堆垛层错，降低位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 方法 结构 光电 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
