[发明专利]半导体基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202110349768.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113492343A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 渡边信也;横尾昌法 | 申请（专利权）人： | 诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种由氧化镓系半导体的单晶构成并且通过倒角加工有效地抑制了破损发生的半导体基板及其制造方法。提供在外周部具有倒角加工部(12)的、由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板(1)，其中，倒角加工部(12)具有：倾斜面(121)，其位于主面(10)的外侧，在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线；倾斜面(122)，其位于主面(11)的外侧，在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线；以及倾斜面(121)与倾斜面(122)之间的端面(123)，其位于倒角加工部(12)的顶端，端面(123)的在半导体基板(1)的厚度方向上的幅度(b |
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| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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