[发明专利]半导体基板及其制造方法

说明书

提供一种由氧化镓系半导体的单晶构成并且通过倒角加工有效地抑制了破损发生的半导体基板及其制造方法。提供在外周部具有倒角加工部(12)的、由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板(1)，其中，倒角加工部(12)具有：倾斜面(121)，其位于主面(10)的外侧，在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线；倾斜面(122)，其位于主面(11)的外侧，在半导体基板(1)的垂直截面中边缘为直线；以及倾斜面(121)与倾斜面(122)之间的端面(123)，其位于倒角加工部(12)的顶端，端面(123)的在半导体基板(1)的厚度方向上的幅度(b_t)处于半导体基板(1)的厚度(t)的50％以上、97％以下的范围内。

技术领域

本发明涉及半导体基板及其制造方法。

背景技术

以往，已知外周部被实施了倒角加工的玻璃板(参照专利文献1)。专利文献1所述的玻璃板作为扇出(fan out)型的晶片级组件中的加工基板的支撑板来使用。

根据专利文献1的记载，由于具有玻璃板的凹口(notch)形状、定向平面(orientation flat)形状的对位部被实施了倒角加工，因而能够有效避免在使定位销等定位构件抵接时以定位部为起点的玻璃板的破损。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/088868号

发明内容

发明要解决的问题

然而，包含玻璃板、半导体基板在内的板状物的易破损度会根据结晶的解理面等的材料的特性而不同，因此，能够有效地抑制破损的倒角加工部的形状也会根据板状物的材料而不同。所以，即使将专利文献1所述的玻璃板的倒角加工部的形状应用于由其它材料构成的板状物，也不能说就能够有效地抑制破损。

本发明的目的在于，提供一种由氧化镓系半导体的单晶构成并且通过倒角加工有效地抑制了破损发生的半导体基板及其制造方法。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明的一方面提供下述[1]～[4]的半导体基板和[5]～[10]的半导体基板的制造方法。

[1]一种半导体基板，是在外周部具有倒角加工部的、由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板，其中，上述倒角加工部具有：第1倾斜面，其位于上述半导体基板的第1主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；第2倾斜面，其位于上述半导体基板的与上述第1主面相反的一侧的第2主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；以及上述第1倾斜面与上述第2倾斜面之间的端面，其位于上述倒角加工部的顶端，上述端面的在上述半导体基板的厚度方向上的幅度处于上述半导体基板的厚度的50％以上、97％以下的范围内。

[2]根据上述[1]所述的半导体基板，其中，上述第1倾斜面和上述第2倾斜面的、在上述半导体基板的面内方向上的幅度处于0.025mm以上、0.9mm以下的范围内。

[3]根据上述[1]或[2]所述的半导体基板，其中，上述第1主面和上述第2主面的面方位为(001)或(100)。

[4]根据上述[1]～[3]中的任意一项所述的半导体基板，其中，上述第1主面和上述第2主面的面方位为(001)，上述半导体基板具有沿着＜010＞方向的定向平面。