[发明专利]半导体基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，是在外周部具有倒角加工部的、由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板，其特征在于，

上述倒角加工部具有：第1倾斜面，其位于上述半导体基板的第1主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；第2倾斜面，其位于上述半导体基板的与上述第1主面相反的一侧的第2主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；以及上述第1倾斜面与上述第2倾斜面之间的端面，其位于上述倒角加工部的顶端，

上述端面的在上述半导体基板的厚度方向上的幅度处于上述半导体基板的厚度的50％以上、97％以下的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

上述第1倾斜面和上述第2倾斜面的、在上述半导体基板的面内方向上的幅度处于0.025mm以上、0.9mm以下的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体基板，其中，

上述第1主面和上述第2主面的面方位为(001)或(100)。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体基板，其中，

上述第1主面和上述第2主面的面方位为(001)，

上述半导体基板具有沿着＜010＞方向的定向平面。

5.一种半导体基板的制造方法，是由氧化镓系半导体的单晶构成的半导体基板的制造方法，其特征在于，包含：

对上述半导体基板的外周部实施倒角加工来形成倒角加工部的工序；以及

形成上述倒角加工部的工序之后的、对上述半导体基板的第1主面及与上述第1主面相反的一侧的第2主面实施研磨加工的工序，

上述倒角加工部具有：第1倾斜面，其位于上述第1主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；第2倾斜面，其位于上述第2主面的外侧，在上述半导体基板的垂直截面中边缘为直线；以及上述第1倾斜面与上述第2倾斜面之间的端面，其位于上述倒角加工部的顶端，

上述研磨加工后的上述端面的在上述半导体基板的厚度方向上的幅度处于上述研磨加工后的上述半导体基板的厚度的50％以上、97％以下的范围内。

6.根据权利要求5所述的半导体基板的制造方法，其中，

在形成上述倒角加工部的工序中，在形成了上述第1倾斜面和上述第2倾斜面后形成上述端面。

7.根据权利要求5或6所述的半导体基板的制造方法，其中，

在形成上述倒角加工部的工序中，使用比上述第1倾斜面和上述第2倾斜面的形成所使用的磨石软的磨石来形成上述端面。

8.根据权利要求7所述的半导体基板的制造方法，其中，

在形成上述倒角加工部的工序中，使用树脂结合剂磨石来形成上述端面。

9.根据权利要求5至8中的任意一项所述的半导体基板的制造方法，其中，

上述研磨加工后的上述第1倾斜面和上述第2倾斜面的、在上述半导体基板的面内方向上的幅度处于0.025mm以上、0.9mm以下的范围内。

10.根据权利要求5至9中的任意一项所述的半导体基板的制造方法，其中，

上述第1主面和上述第2主面的面方位为(001)或(100)。