[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110347295.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113540206A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林志昌;陈仕承;张荣宏;张罗衡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 此处公开半导体装置的形成方法，具体地公开半导体装置与其形成方法。例示性的方法包括交错形成多个第一半导体层与多个第二半导体层于基板上，其中第一半导体层与第二半导体层包括不同材料，并沿着实质上垂直于基板的上表面的方向向上堆叠；形成虚置栅极结构于第一半导体层与第二半导体层上；沿着虚置栅极结构的侧壁形成源极/漏极沟槽；形成多个内侧间隔物于第一半导体层的边缘部分之间，其中内侧间隔物朝第二半导体层弯曲；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极沟槽中，其中源极/漏极结构接触第一半导体层并包含多个晶面，以形成远离内侧间隔物的凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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