[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110347295.X | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113540206A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林志昌;陈仕承;张荣宏;张罗衡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
交错形成多个第一半导体层与多个第二半导体层于一基板上，其中所述多个第一半导体层与所述多个第二半导体层包括不同材料，并沿着实质上垂直于该基板的上表面的一方向向上堆叠；
形成一虚置栅极结构于所述多个第一半导体层与所述多个第二半导体层上；
沿着该虚置栅极结构的一侧壁形成一源极/漏极沟槽；
形成多个内侧间隔物于所述多个第一半导体层的边缘部分之间，其中所述多个内侧间隔物朝所述多个第二半导体层弯曲；以及
外延成长一源极/漏极结构于该源极/漏极沟槽中，其中该源极/漏极结构接触所述多个第一半导体层并包含多个晶面，以形成远离所述多个内侧间隔物的一凹陷。
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