[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池

摘要

本申请提供了一种异质结电池的制备方法与异质结电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面清洗，并对表面清洗后的硅基底进行吸杂；再去除所述硅基底表面的损伤层后进行制绒；接着，在所述硅基底的一侧表面沉积第一本征层与第一掺杂层，并在所述硅基底的另一侧表面沉积第二本征层与第二掺杂层，所述第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型相反。上述制备方法能够减小硅基底的整体减薄量，降低碎片率，也能减少化学药品的使用量，降低生产成本，适于厚度较薄的电池生产。