[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池

权利要求书

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于：

对硅基底进行表面清洗；

对表面清洗后的硅基底进行吸杂；

去除吸杂完成后的硅基底表面的损伤层；

制绒；

在所述硅基底的一侧表面沉积第一本征层与第一掺杂层，并在所述硅基底的另一侧表面沉积第二本征层与第二掺杂层，所述第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括提供厚度不超过150μm的N型硅片作为硅基底。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述吸杂步骤包括将所述硅基底放入扩散炉进行磷扩散吸杂，扩散温度设置为850～950℃。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述磷扩散吸杂采用常压扩散，扩散温度设置为880～920℃，扩散时长设置为75～90min，并使得所述硅基底完成磷扩散吸杂后的方阻为5～20欧姆/方块。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述表面清洗步骤包括先采用KOH与H₂O₂的混合溶液对硅基底进行第一次表面清洗，KOH的浓度设置为0.2～0.7％，温度设置为55～75℃；再采用HF与HCl的混合溶液对硅基底进行第二次表面清洗；所述第一次表面清洗与第二次表面清洗的时间均设置在100～150s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述损伤层的去除包括采用KOH溶液对硅基底进行清洗，KOH的浓度设置为1～3％，温度设置为65～85℃；控制所述硅基底的减薄量为3～5μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一本征层、第二本征层以及第一掺杂层、第二掺杂层均采用PECVD方法沉积得到，温度设置在150～200℃；所述第一本征层、第二本征层的厚度设置为4～7nm，所述第一掺杂层、第二掺杂层的厚度设置为6～10nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述第一掺杂层、第二掺杂层分别为P型掺杂层、N型掺杂层，所述第一掺杂层的反应气体包括SiH₄、H₂及体积分数介于0.2～2％的B₂H₆，所述第一掺杂层的反应气体包括SiH₄、H₂及体积分数介于0.1～1％的PH₃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在所述第一掺杂层、第二掺杂层的表面分别制备第一透明导电层、第二透明导电层；所述第一透明导电层、第二透明导电层设置为铟锡氧化物薄膜，厚度设置为75～85nm。

10.一种异质结电池，其特征在于：所述异质结电池采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。