[发明专利]异质结电池的制备方法及异质结电池

说明书

本申请提供了一种异质结电池的制备方法与异质结电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面清洗，并对表面清洗后的硅基底进行吸杂；再去除所述硅基底表面的损伤层后进行制绒；接着，在所述硅基底的一侧表面沉积第一本征层与第一掺杂层，并在所述硅基底的另一侧表面沉积第二本征层与第二掺杂层，所述第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型相反。上述制备方法能够减小硅基底的整体减薄量，降低碎片率，也能减少化学药品的使用量，降低生产成本，适于厚度较薄的电池生产。

技术领域

本申请涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种异质结电池的制备方法及异质结电池。

背景技术

近年，光伏产业保持快速发展，国内外市场对太阳能电池效率与性能的要求也越来越高，这也推动众多厂商积极进行新型电池结构及生产工艺的研究，以期取得行业优势。晶体硅太阳电池仍是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，并在未来相当长的时间内都将占据主导地位，业界也在积极进行高效电池结构及相关生产工艺的研究改进，以期提高电池效率。

异质结(Heterojunction，HJT)电池主要通是在n型硅片的正/背面沉积本征α-Si:H层，然后分别制备p型α-Si:H层和n型α-Si:H层，再采用低温银浆经丝网印刷、烘干固化得到；实际生产中，还可以在硅片表面沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)之后再进行金属化制程。上述异质结电池具有低光衰、低温度系数等优势，能够降低能耗的同时减少硅基底的热损伤，其已成为业内的研究与突破重点。就异质结电池而言，其具有更好的表面钝化效果，因此硅片自身的材料性能对后续电池效率的影响更大。业内已公开有通过吸杂工艺改善硅片性能，提高填充因子与电池效率的方案，但异质结电池的具体吸杂步骤与制备工艺仍需调整与改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池，改善电池生产工艺，降低碎片率及生产成本。

为实现上述发明目的，本申请提供了一种异质结电池的制备方法，主要包括：

对硅基底进行表面清洗；

对表面清洗后的硅基底进行吸杂；

去除吸杂完成后的硅基底表面的损伤层；

制绒；

在所述硅基底的一侧表面沉积第一本征层与第一掺杂层，并在所述硅基底的另一侧表面沉积第二本征层与第二掺杂层，所述第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型相反。

作为本申请实施例的进一步改进，所述制备方法还包括提供厚度不超过150μm的N型硅片作为硅基底。

作为本申请实施例的进一步改进，所述吸杂步骤包括将所述硅基底放入扩散炉进行磷扩散吸杂，扩散温度设置为850～950℃。

作为本申请实施例的进一步改进，所述磷扩散吸杂采用常压扩散，扩散温度设置为880～920℃，扩散时长设置为75～90min，并使得所述硅基底完成磷扩散吸杂后的方阻为5～20欧姆/方块。

作为本申请实施例的进一步改进，所述表面清洗步骤包括先采用KOH与H₂O₂的混合溶液对硅基底进行第一次表面清洗，KOH的浓度设置为0.2～0.7％，温度设置为55～75℃；再采用HF与HCl的混合溶液对硅基底进行第二次表面清洗；所述第一次表面清洗与第二次表面清洗的时间均设置在100～150s。

作为本申请实施例的进一步改进，所述损伤层的去除包括采用KOH溶液对硅基底进行清洗，KOH的浓度设置为1～3％，温度设置为65～85℃；控制所述硅基底的减薄量为3～5μm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述第一本征层、第二本征层以及第一掺杂层、第二掺杂层均采用PECVD方法沉积得到，温度设置在150～200℃；所述第一本征层、第二本征层的厚度设置为4～7nm，所述第一掺杂层、第二掺杂层的厚度设置为6～10nm。