[发明专利]蓝光半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110299546.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113066910B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;杨亚峰;彭麟杰;苏哈;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/42;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及蓝光半导体器件及其制备方法，其包括图形化蓝宝石衬底，设置于衬底表面的外延叠层，外延叠层包含靠近衬底的n型层、有源层和远离衬底的p型层，外延叠层具有一刻蚀台阶，刻蚀台阶沿着p型层刻蚀至n型层；周期层叠设置的金属/石墨烯复合透明电极层设置于p型层的表面，设置于n型层表面的n电极和设置于p型层表面的p电极；钝化层包裹外延叠层、复合透明电极层、n电极和p电极，DBR层设置于钝化层表面，保护层设置于DBR层表面；焊球分别连接n电极、p电极至基板。本发明提供的器件结构及其制备方法提升了器件的出光效率、降低了结温和空洞率，且该器件的热稳定性好，长时间可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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