[发明专利]存储单元及其制造方法

摘要

本公开提供一种存储单元及其制造方法，存储单元包括：垂直晶体管，部分设置于基底中，所述垂直晶体管从下到上设置有源极、栅极、漏极，所述栅极连接字线，所述源极连接位线；存储接触结构，包括：埋入部，位于第一槽中，所述第一槽的侧面被隔离结构包裹，所述埋入部的下表面连接所述垂直晶体管的漏极；凸出部，位于所述埋入部之上并与所述埋入部的上表面连接，所述凸出部为柱状结构；存储电容，具有下极板、介质层、上极板，所述下极板贴附所述凸出部的侧表面，所述介质层贴附所述下极板和所述凸出部的上表面，所述上极板贴附所述介质层。本公开实施例可以提高存储单元的结构强度以及排布密度。