[发明专利]形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法在审
| 申请号： | 202110263026.5 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115074679A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 侯国隆;林明贤;张见诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法，物理气相沉积装置包含腔室、基座、盖环以及屏障。基座设置于腔室的底部。盖环环绕基座并与基座电性绝缘。屏障环绕物理气相沉积装置的腔室壁。屏障包含第一垂直部分、第二垂直部分以及水平部分。第一垂直部分与物理气相沉积装置的腔室壁平行，盖环位于第一垂直部分与基座之间，其中第一垂直部分与盖环的外侧壁间隔约2.3毫米至约2.7毫米之间。第二垂直部分位于盖环下方，其中第二垂直部分的顶端实质上接触盖环。水平部分位于该盖环下方并连接第一垂直部分的第一底端和第二垂直部分的第二底端。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 物理 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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