[发明专利]碳化硅晶体以及用于生产其的方法在审
| 申请号： | 202110237647.6 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113337892A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 伊利亚·茨维巴克;瓦拉他拉扬·伦加拉扬;安德鲁·N·苏齐兹;加里·E·鲁兰 | 申请（专利权）人： | II-VI特拉华有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B31/10;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;孙雅雯 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开内容一般地涉及可以用于光学应用中的碳化硅晶体，以及涉及用于生产其的方法。在一种形式中，组合物包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质。碳化硅晶体中的铝的浓度大于碳化硅晶体中的氮和硼的组合浓度，并且碳化硅晶体在约400nm至约800nm的范围内的波长下的光吸收系数小于约0.4cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 以及 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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