[发明专利]一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺在审

专利信息
申请号: 202110234526.6 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN113121239A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 李懋强;王大为;李学超;杨景雷;侯涛 申请(专利权)人: 山东君道高温材料有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/626;C04B35/64
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 宫建华
地址: 276000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺,属于陶瓷技术领域,包括以下步骤:S1、选取碳化硅粉备用,S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干,S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷,S4、对压制成型的陶瓷进行烧结,获得无压烧结碳化硅陶瓷。本发明,突破了传统烧结工艺,在无压条件下进行烧结,氩气氛烧结中,将99.9%的碳化硅微粉在22000C高温烧结,密度达到3.15g/cm3,热导性能好,热导率达74W/m.k,努氏硬度2600kg/mm2,烧结后的无压碳化硅材料具有超强的断裂韧性,又具有较高的断裂强度,0气孔率,密度3.15g/cm2,耐磨耐腐蚀性能更好,最高工作温度16100C。
搜索关键词: 一种 尺寸 烧结 碳化硅 陶瓷材料 制备 工艺
【主权项】:
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