[发明专利]一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺在审
| 申请号： | 202110234526.6 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113121239A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李懋强;王大为;李学超;杨景雷;侯涛 | 申请（专利权）人： | 山东君道高温材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 276000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 烧结 碳化硅 陶瓷材料 制备 工艺 | ||
1.一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选取碳化硅粉备用；
S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干；
S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷；
S4、对压制成型的陶瓷进行烧结，获得无压烧结碳化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S1中的操作步骤，取碳化硅粉时，选取纯度为99.9%的碳化硅粉。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S2中的操作步骤，包括如下步骤：
S201、将碳化硅粉置于搅拌机中充分搅拌均匀；
S202、将搅拌均匀的碳化硅粉置于研磨机中充分研磨；
S203、将研磨后的碳化硅粉通过造粒机喷雾造粒。
4.根据权利要求3所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S201中的操作步骤，在对碳化硅粉进搅拌前，将烧助剂添加到搅拌机内。
5.根据权利要求4所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，所述烧结助剂为硼和碳。
6.根据权利要求1所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S3中的操作步骤，采用等静压机将碳化硅粉等静压制成型陶瓷。
7.根据权利要求1所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S4中的操作步骤，在真空无压状态下氩气气氛中进行烧结。
8.根据权利要求1所述的一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，其特征在于，根据S4中的操作步骤，在22000C的条件下，进行烧结。
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