[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110209349.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975631A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 晏国文 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 许铨芬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管中的有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化导体区域，氧化物半导体区域具有第一长度，栅绝缘层形成于有源层上，栅绝缘层具有第二长度，栅极形成于栅绝缘层上，栅极与氧化物半导体区域相对设置，并且，栅极具有第三长度。其中，栅绝缘层的第二长度大于栅极的第三长度，栅极的第三长度大于或等于氧化物半导体区域的第一长度，即栅绝缘层的长度大于栅极的长度，经试验表明，能够抑制氧化物导体区域中的载流子向氧化物半导体区域扩散，从而，减少扩散载流子对导电沟道的影响，尽可能减小负偏，有益于实现短沟道区的小型化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技股份有限公司，未经深圳市柔宇科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110209349.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理芯片、方法及电子设备
- 下一篇：刮胶装置、墙砖涂胶装置及墙砖铺贴设备
- 同类专利
- 专利分类
