[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管中的有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化导体区域，氧化物半导体区域具有第一长度，栅绝缘层形成于有源层上，栅绝缘层具有第二长度，栅极形成于栅绝缘层上，栅极与氧化物半导体区域相对设置，并且，栅极具有第三长度。其中，栅绝缘层的第二长度大于栅极的第三长度，栅极的第三长度大于或等于氧化物半导体区域的第一长度，即栅绝缘层的长度大于栅极的长度，经试验表明，能够抑制氧化物导体区域中的载流子向氧化物半导体区域扩散，从而，减少扩散载流子对导电沟道的影响，尽可能减小负偏，有益于实现短沟道区的小型化设计。

技术领域

本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是显示面板的重要组成部分，TFT可以形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关和驱动部件用在诸如LCD、OLED等平面显示装置上。薄膜晶体管中有源层提供导电沟道区，构成有源层的材料通常为氧化物或非晶硅等。当构成有源层的材料为氧化物时，薄膜晶体管具有更高的稳定性，以及，更低的漏电流，从而，有源层为氧化物的薄膜晶体管(可以称为氧化物薄膜晶体管)在显示装置的驱动中广泛应用。

为了使由氧化物薄膜晶体管组成的显示面板具有更大输出电流，一般采用顶栅极-遮光金属板结构，即LS-G的Top Gate结构。然而，此种结构的氧化物薄膜晶体管，用于导电的沟道区的有效长度会缩短，导致负偏严重，还不能实现短沟道区的小型化设计。

发明内容

本发明实施例主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够抑制载流子向沟道区扩散，尽可能减小负偏，有益于实现短沟道区的小型化设计。

为解决上述技术问题，第一方面，本发明实施例中提供给了一种薄膜晶体管，包括：

基板；

缓冲层，所述缓冲层形成于所述基板上；

遮光金属板，所述遮光金属板形成于所述缓冲层上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述缓冲层的显露部分和所述遮光金属板；

有源层，所述有源层形成于所述第一绝缘层上，所述有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化导体区域，所述氧化物半导体区域具有第一长度，所述氧化物半导体区域正对所述遮光金属板；

栅绝缘层，所述栅绝缘层形成于所述有源层上，所述栅绝缘层具有第二长度；

栅极，所述栅极形成于所述栅绝缘层上，所述栅极与所述氧化物半导体区域相对设置，并且，所述栅极具有第三长度，

绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述基板的整个表面并且位于所述栅极上；

源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述绝缘保护层上，并且，所述源极连接到所述第一氧化物导体区域，所述漏极连接到所述第二氧化物导体区域；

其中，所述第二长度大于所述第三长度，所述第三长度大于或等于所述第一长度。

在一些实施例中，所述第二长度与所述第三长度之间的差值为0.5-1um。

在一些实施例中，所述有源层由非晶铟镓锌氧化物形成。

在一些实施例中，还包括第一电极连接层和第二电极连接层，所述第一电极连接层形成于所述第一氧化物导体区域，所述源极通过所述第一电极连接层与所述第一氧化物导体区域连接，所述漏极通过所述第二电极连接层与所述第二氧化物导体区域连接。

在一些实施例中，所述栅极与所述遮光金属板电连接。

为解决上述技术问题，第二方面，本发明实施例中提供给了一种薄膜晶体管基板，包括如上第一方面所述的薄膜晶体管。