[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110209349.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975631A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 晏国文 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 许铨芬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
缓冲层，所述缓冲层形成于所述基板上；
遮光金属板，所述遮光金属板形成于所述缓冲层上；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述缓冲层的显露部分和所述遮光金属板；
有源层，所述有源层形成于所述第一绝缘层上，所述有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化导体区域，所述氧化物半导体区域具有第一长度，所述氧化物半导体区域正对所述遮光金属板；
栅绝缘层，所述栅绝缘层形成于所述有源层上，所述栅绝缘层具有第二长度；
栅极，所述栅极形成于所述栅绝缘层上，所述栅极与所述氧化物半导体区域相对设置，并且，所述栅极具有第三长度，
绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述基板的整个表面并且位于所述栅极上；
源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述绝缘保护层上，并且，所述源极连接到所述第一氧化物导体区域，所述漏极连接到所述第二氧化物导体区域；
其中，所述第二长度大于所述第三长度，所述第三长度大于或等于所述第一长度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二长度与所述第三长度之间的差值为0.5-1um。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层由非晶铟镓锌氧化物形成。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一电极连接层和第二电极连接层，所述第一电极连接层形成于所述第一氧化物导体区域，所述源极通过所述第一电极连接层与所述第一氧化物导体区域连接，所述漏极通过所述第二电极连接层与所述第二氧化物导体区域连接。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与所述遮光金属板电连接。
6.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的薄膜晶体管基板；以及，
发光模组，所述发光模组设置于所述薄膜晶体管基板上。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成遮光金属板；
在所述缓冲层的显露部分和所述遮光金属板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化物导体区域，所述氧化物半导体区域具有第一长度，所述氧化物半导体区域正对所述遮光金属板；
在所述有源层上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层具有第二长度；
在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述氧化物半导体区域相对设置，并且，所述栅极具有第三长度；
在所述基板的整个表面上并且在所述栅极上形成绝缘保护层；
在所述绝缘保护层上形成源极和漏极，且，所述源极连接到所述第一氧化物导体区域，所述漏极连接到所述第二氧化物导体区域；
其中，所述第二长度大于所述第三长度，所述第三长度大于或等于所述第一长度。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二长度与所述第三长度之间的差值为0.5-1um。
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