[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110203037.4 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113113466A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林祐宽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实施例公开一种半导体装置及其制造方法。一示例性半导体装置包括：一基底，具有一第一区及一第二区；一第一半导体鳍部，形成于第一区内的基底上；一第二半导体鳍部，形成于第二区内的基底上；一第一衬层，沿第一半导体鳍部的一下部及第二半导体鳍部的一下部设置；一第二衬层，位于第二区内的第一衬层上，其中第二衬层与第一衬层的组成不同；以及一隔离特征部件，位于第一区内的第一衬层上及第二区内的第二衬层上，并将第一半导体鳍部的下部与第二半导体鳍部的下部分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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