[发明专利]一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置有效
| 申请号： | 202110201676.7 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112981532B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李加林;刘星;李斌;孙元行;刘鹏飞;李博;侯建国;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 张伟朴 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置，该方法包括：(1)组装阶段；(2)升温阶段：将组装好的坩埚置于炉体内，对所述坩埚进行加热，控制坩埚顶端中心的温度与坩埚顶端边缘的温度差为△T1；(3)长晶阶段：保持坩埚顶端中心的温度不变，控制保温盖沿着保温筒侧壁向上移动，同时控制坩埚顶端中心的温度与坩埚顶端边缘的温度差减少至△T2，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。通过控制保温盖向上移动，环形温场更加均匀稳定且径向温梯逐渐缓慢减小至△T2，实现径向温梯的定向定量调节，逐渐较小籽晶处径向温梯，缩小碳化硅晶体中心与边缘最小厚度的差值，提高同等重量碳化硅晶体的有效利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 晶体 方法 装置 | ||
【主权项】：
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