[发明专利]集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202110194397.2 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113937089A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;吴佳典;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了集成电路。该集成电路包含导电轨、信号轨、至少一个第一通孔以及至少一个第一导电部。该至少一个第一通孔设置在第一导电层与第二导电层之间，并且将信号轨的第一信号轨耦合至导电轨的至少一个。该第一信号轨配置为将供应信号传输通过至少一个第一通孔和导电轨的至少一个到达集成电路的至少一个元件。该至少一个第一导电部设置在第一导电层与第二导电层之间。该至少一个第一导电部耦合至导电轨的至少一个并且与第一信号轨分离。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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