[发明专利]一种气相沉积石墨烯层生长制备装置及工艺

摘要

本发明公开了一种气相沉积石墨烯层生长制备装置及工艺，气相沉积石墨烯层生长制备装置包括密封腔体、高真空密封插板阀、热场底座、石墨硬毡保温层、第一石墨发热体、第二石墨发热体、第一感应线圈和第二感应线圈，气相沉积石墨烯层生长制备工艺包括封闭密封腔体，抽真空；启动第一感应线圈和第二感应线圈；升温达到目标温度；充入高纯工艺气体；温度降至摄氏度和取出镀有涂层的衬底片，每个气路只对应一个衬底片，避免由单气路对应多衬底片导致的充气压力不均，碳原子沉积不均匀的问题，共八组制备装置同时制备生产，其中每个气路独立控温，控制流量，保证工艺的标准化和可控可复制性。