[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110184569.8 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113130401A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金志昀;李彦儒;苏建彰;林衍廷;李健玮;颜邦廷;丁姮彣;李启弘;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括形成多个第一装置于基板的第一区中，其中每一第一装置具有第一数目的鳍状物；形成多个第二装置于基板的第二区中，且第二区与第一区不同，其中每一第二装置具有第二数目的鳍状物，且第二数目与第一数目不同；形成多个第一凹陷于第一装置的鳍状物中，其中第一凹陷具有第一深度；在形成第一凹陷之后，形成多个第二凹陷于第二装置的鳍状物中，其中第二凹陷的第二深度与第一深度不同；成长第一外延的源极/漏极区于第一凹陷中；以及成长第二外延的源极/漏极区于第二凹陷中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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