[发明专利]一种绝缘栅双极型场效应管、组及功率变换器在审
| 申请号： | 202110183813.9 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113066775A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 戴楼成;杨文韬;左慧玲;王康;侯召政;黄伯宁 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/739;H01L25/07 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 常忠良 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种绝缘栅双极型场效应管IGBT、组及功率变换器，IGBT包括：半导体芯片、设置在半导体芯片周围的栅极引脚、设置在半导体芯片上的发射极区域和n个栅区域；n为大于等于2的整数；n个栅区域中的a个栅区域连接栅极引脚；a大于等于1小于等于n；连接栅极引脚的栅区域的数量a不同时对应IGBT适用于不同的开关频率及损耗；n个栅区域中的n‑a个栅区域连接发射极区域。连接栅极引脚的所有栅区域的周围会形成导电沟道，导电沟通供发射极的注入电子通过，发射极注入电子对应的导电沟道增加，使得集电极和发射极之间的导通压降减小，降低IGBT的导通损耗，对于导通损耗比较小的IGBT可以应用于开关频率较低的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 场效应 功率 变换器 | ||
【主权项】：
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