[发明专利]一种绝缘栅双极型场效应管、组及功率变换器

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型场效应管IGBT，其特征在于，包括：半导体芯片、设置在所述半导体芯片周围的栅极引脚、设置在所述半导体芯片上的发射极区域和n个栅区域；所述n为大于等于2的整数；

所述n个栅区域中的a个栅区域连接所述栅极引脚；所述a大于等于1小于等于所述n；

所述n个栅区域中的n-a个栅区域连接所述发射极区域；

连接所述栅极引脚的栅区域的数量a不同时对应所述IGBT适用于不同的开关频率及损耗。

2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述a个栅区域短接在一起连接所述栅极引脚；

所述n-a个栅区域短接在一起连接所述发射极区域。

3.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述a个栅区域分别连接所述栅极引脚；

所述n-a个栅区域分别连接所述发射极区域。

4.根据权利要求1-3任一项所述的IGBT，其特征在于，所述IGBT的导通损耗与所述a正相关，所述IGBT的开关损耗与所述n-a正相关；所述IGBT的开关频率与所述a负相关。

5.根据权利要求1-4任一项所述的IGBT，其特征在于，所述n个栅区域包括以下两个：第一栅区域和第二栅区域；

所述第一栅区域和第二栅区域短接在一起连接所述栅极引脚；

或，

所述第一栅区域连接所述栅极引脚，所述第二栅区域连接所述发射极区域。

6.根据权利要求1-4任一项所述的IGBT，其特征在于，所述n个栅区域包括以下三个：第一栅区域、第二栅区域和第三栅区域；

所述第一栅区域、第二栅区域和第三栅区域短接在一起连接所述栅极引脚；

或，

所述第一栅区域、第二栅区域和第三栅区域中的两个短接在一起连接所述栅极引脚，另一个连接所述发射极区域；

或，

所述第一栅区域、第二栅区域和第三栅区域中的两个短接在一起连接所述发射极区域，其余一个连接所述栅极引脚。

7.根据权利要求1-4任一项所述的IGBT，其特征在于，所述n个栅区域包括以下四个：第一栅区域、第二栅区域、第三栅区域和第四栅区域；

所述第一栅区域、第二栅区域、第三栅区域和第四栅区域短接在一起连接所述栅极引脚；

或，

所述第一栅区域、第二栅区域、第三栅区域和第四栅区域中的三个短接在一起连接所述栅极引脚，其余一个连接所述发射极区域；

或，

所述第一栅区域、第二栅区域、第三栅区域和第四栅区域中的两个短接在一起连接所述栅极引脚，其余两个连接所述发射极区域；

或，

所述第一栅区域、第二栅区域、第三栅区域和第四栅区域中的三个短接在一起连接所述栅极引脚，其余一个连接所述发射极区域。

8.一种IGBT组，其特征在于，包括：半导体芯片；

所述半导体芯片包括多个IGBT；

所述半导体芯片周围设置每个所述IGBT的栅极引脚、发射极引脚和集电极引脚；

所述半导体芯片上设置每个IGBT的发射极区域和栅区域；其中至少一个IGBT的栅区域包括多个栅区域；

所述多个栅区域中的至少一个栅区域连接对应IGBT的所述栅极引脚；

所述多个栅区域中的其余栅区域连接对应IGBT的所述发射极区域。

9.根据权利要求8所述的IGBT组，其特征在于，每个所述IGBT的栅区域均包括多个栅区域。

10.根据权利要求8或9所述的IGBT组，其特征在于，针对包括所述多个栅区域的第一IGBT，所述多个栅区域为n个；所述n为大于等于2的整数；

其中a个所述栅区域短接在一起连接所述第一IGBT的所述栅极引脚；b个所述栅区域短接在一起连接所述第一IGBT的所述发射极区域；

其中a+b＝n。