[发明专利]一种红外探测器阵列及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110176201.7 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112992953B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京智创芯源科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王雨
地址: 100095 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外探测器阵列,从下至上依次包括p型基体、n型像元层、第一钝化层、第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层;所述n型像元层包括多个按预设二维图案间隔设置的n型掺杂区;所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的一层包括n型延伸区;所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的另一层包括p型延伸区;所述第一金属接触层及所述第二金属接触层非接触设置;所述p型延伸区及所述n型延伸区用于为探测像元提供工作电压;所述探测像元为所述p型基体及所述n型像元层组成的pn结。本发明提升了大阵列规模红外探测器探测像元间的工作偏压一致性,节省了空间。本发明还提供了具有上述优点红外探测器阵列的制作方法。
搜索关键词: 一种 红外探测器 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
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