[发明专利]一种红外探测器阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种红外探测器阵列，其特征在于，从下至上依次包括p型基体、n型像元层、第一钝化层、第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层；

所述n型像元层包括多个按预设二维图案间隔设置的n型掺杂区；

所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的一层包括n型延伸区，所述n型延伸区与所述n型掺杂区一一对应，且所述n型延伸区与所述n型掺杂区接触设置；

所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的另一层包括p型延伸区，所述p型延伸区与所述p型基体接触设置；

所述第一金属接触层及所述第二金属接触层非接触设置；

所述p型延伸区及所述n型延伸区用于为探测像元提供工作电压；所述探测像元为所述p型基体及所述n型像元层组成的pn结；

所述第一金属接触层在所述p型基体上的投影与所述第二金属接触层在所述p型基体上的投影部分重叠。

2.如权利要求1所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述p型延伸区与所述n型延伸区一一对应。

3.如权利要求1所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述第一金属接触层包括所述p型延伸区。

4.如权利要求1所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述第一钝化层和/或所述第二钝化层为硫化锌钝化层。

5.如权利要求4所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述硫化锌钝化层的厚度范围为1000微米至2000微米，包括端点值。

6.如权利要求4所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述p型基体为碲镉汞基体。

7.如权利要求6所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述n型像元层与所述第一钝化层之间还包括碲化镉过渡层。

8.如权利要求1所述的红外探测器阵列，其特征在于，所述第一金属接触层和/或所述第二金属接触层为金属银层。

9.一种红外探测器阵列的制作方法，其特征在于，包括：

在p型基体上设置第一钝化层；

在所述第一钝化层表面光刻注入区图形，并进行注入工艺，得到在所述p型基体靠近所述第一钝化层的表面的n型像元层；其中，所述n型像元层包括多个按预设二维图案间隔设置的n型掺杂区；

在所述第一钝化层表面依次设置第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层，得到红外探测器阵列；其中，所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的一层包括n型延伸区，所述n型延伸区与所述n型掺杂区一一对应，且所述n型延伸区与所述n型掺杂区接触设置；所述第一金属接触层与所述第二金属接触层中的另一层包括p型延伸区，所述p型延伸区与所述p型基体接触设置；所述第一金属接触层及所述第二金属接触层非接触设置。

10.如权利要求9所述的红外探测器阵列的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层表面依次设置第一金属接触层、第二钝化层及第二金属接触层，得到红外探测器阵列包括：

在相邻的所述n型掺杂区之间的区域，设置p型接触孔；

在所述第一钝化层上设置所述第一金属接触层，所述第一金属接触层的p型延伸区通过所述p型接触孔与所述p型基体相连；

在所述第一金属接触层上设置所述第二钝化层；

在所述n型掺杂区对应的区域，设置n型接触孔；

在所述第二钝化层上设置所述第二金属接触层，所述第二金属接触层的n型延伸区通过所述n型接触孔与所述n型掺杂区相连，得到红外探测器阵列。