[发明专利]带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110174578.9 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112838126A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施广彦;秋琪;李昀佶 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件及制备方法；所述器件包括自下而上的第二金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的P+注入区有效屏蔽或缓解栅极氧化层两个槽角处的电场集中现象，从而提升器件的反向耐压能力和使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 对称 碳化硅 umosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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