[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110143524.6 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN113206044A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 赖德洋;彭峻彦;杨世海;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，提供负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置与其形成方法。负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置的栅极介电堆叠包括非铁电的界面层形成于半导体通道上，以及铁电的栅极介电层形成于界面层上。铁电的栅极介电层的形成方法可为将掺质源层夹设于非晶的高介电常数的介电层之间，接着以沉积后退火使依序交错的介电层转换成铁电的栅极介电层。铁电的栅极介电层具有可调的铁电特性，且可采用原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积技术精准控制掺质源层的位置以改变可调的铁电特性。综上所述，此处所述的方法所制作的稳定的负电容场效晶体管与铁电场效晶体管的鳍状场效晶体管装置，可具有陡峭的次临界斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
