[发明专利]场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110140205.X | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112968053B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 贺威;杨嘉颖;利健;黄昊;郑子阳;吴健华;刘新科 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/8238;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 舒丁 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括基层、p型纳米线、n型纳米线、漏极、源极以及栅极结构，基层形成有间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区；p型纳米线和n型纳米线成对设置，p型纳米线垂直设于第一掺杂区，n型纳米线垂直设于第二掺杂区；漏极设于两个纳米线远离基层的一端，并同时与p型纳米线远离基层的一端以及n型纳米线远离基层的一端欧姆接触设置；源极包括第一源极和第二源极，第一源极与第一掺杂区欧姆接触，第二源极与第二掺杂区欧姆接触；栅极结构设于漏极和源极之间，且部分栅极结构同时环绕p型纳米线和n型纳米线裸露的表面设置。本发明旨在提供一种低功耗的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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