[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110115485.9 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN114203687A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 长内俊英 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式的半导体装置具备发光元件、受光元件、开关元件、输入侧端子、输出侧端子、第一树脂层和第二树脂层。受光元件以与发光元件光耦合的方式连接,开关元件与受光元件电连接。输入侧端子与发光元件电连接,输出侧端子与开关元件电连接。第一树脂层具有表面侧和与表面侧相反的背面侧,发光元件、受光元件及开关元件设置于表面侧,输入侧端子及输出侧端子设置于背面侧。受光元件设置于发光元件与第一树脂层之间,受光元件及开关元件在第一方向上并排。输入侧端子与输出侧端子分离地设置,输入侧端子和输出侧端子中的至少一个设置为包括在第二方向上与受光元件重叠的部分。第二树脂层在第一树脂层的表面侧将发光元件、受光元件及开关元件密封。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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