[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；形成底部沟槽；形成第二叠层结构，并形成绝缘连接结构；形成区块间栅线缝隙，其第一部分在贯穿第二叠层结构且与绝缘连接结构部分重叠，其第二部分与第一部分相邻设置且在贯穿第二叠层结构及第一叠层结构。本发明预先形成贯穿第一叠层结构的底部沟槽，并在底部沟槽中依次填充保护层与沟槽牺牲层，再形成贯穿第二叠层结构且垂直投影位于底部沟槽内的绝缘连接结构，其中，沟槽牺牲层可以作为虚设孔和栅线缝隙刻蚀的停止层，避免绝缘连接结构与栅线缝隙重叠区域在栅线缝隙刻蚀时被刨削过深，从而减少或避免底部绝缘连接结构与栅线缝隙重叠区域出现结构缺陷或脆弱点。