[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构、晶体管及存储器在审
| 申请号： | 202110069755.7 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112786439A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 梅晓波 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构、晶体管及存储器，该半导体结构的制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极区域和源漏区域；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层同时覆盖所述栅极区域和所述源漏区域；图案化所述源漏区域的所述绝缘介质层，形成暴露所述源漏区域的第一接触孔；在所述第一接触孔的底部形成金属硅化物；图案化所述栅极区域的所述绝缘介质层，形成在所述半导体衬底上的正投影位于所述栅极区域的第二接触孔；在所述第一接触孔和所述第二接触孔中形成填充层。本公开提供的制造方法，在形成金属硅化物时仅形成在源漏区域上，避免了形成在栅极区域上方，进而避免了对栅极区域上功能层形成过刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 晶体管 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
