[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管在审
| 申请号： | 202110052644.5 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112614885A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | A·毛德;F-J·尼德诺施泰德;C·P·桑多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中；引导区域，电连接到所述第一负载端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 完全 耗尽 沟道 功率 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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