[发明专利]形成半导体器件的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110046200.0 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113284950A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏;游国丰;陈建豪;廖善美;王哲夫;詹咏翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括：形成分别位于第一半导体区、第二半导体区、和第三半导体区上方的第一栅极电介质、第二栅极电介质、和第三栅极电介质。该方法还包括：沉积覆盖第一栅极电介质的第一含镧层；以及沉积覆盖第二栅极电介质的第二含镧层。第二含镧层薄于第一含镧层。然后实施退火工艺以将第一含镧层和第二含镧层中的镧分别驱动至第一栅极电介质和第二栅极电介质中。在退火工艺期间，第三栅极电介质上不具有含镧层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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