[发明专利]形成半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成分别位于第一半导体区、第二半导体区、和第三半导体区上方的第一栅极电介质、第二栅极电介质、和第三栅极电介质；

沉积覆盖所述第一栅极电介质的第一含镧层；

沉积覆盖所述第二栅极电介质的第二含镧层，其中，所述第二含镧层薄于所述第一含镧层；以及

实施退火工艺以将所述第一含镧层和所述第二含镧层中的镧分别驱动至所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质中，其中，在所述退火工艺期间，所述第三栅极电介质上不具有含镧层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述第二含镧层包括：

沉积覆盖所述第一栅极电介质、所述第二栅极电介质、和所述第三栅极电介质的第一覆盖镧含层；

从所述第二半导体区上覆的第一区去除所述第一覆盖含镧层；以及

沉积覆盖所述第一栅极电介质、所述第二栅极电介质、和所述第三栅极电介质的第二覆盖含镧层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一含镧层包括所述第一覆盖含镧层和所述第二覆盖含镧层两者的部分。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述退火工艺之前，从所述第三栅极电介质上覆的第二区去除所述第一覆盖含镧层和所述第二覆盖含镧层两者。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用相同的蚀刻掩模从所述第二区去除所述第一覆盖含镧层和所述第二覆盖含镧层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一栅极电介质包括氧化硅层和位于所述氧化硅层上方的高k介电层，并且将所述镧驱动至所述氧化硅层和所述高k介电层之间的界面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述退火工艺之后，去除所述第一含镧层和所述第二含镧层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述第一含镧层包括沉积氧化镧层。

9.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，包括：

第一半导体区；

第一高k电介质，位于所述第一半导体区上方，其中，所述第一高k电介质包括第一高k电介质材料和具有第一镧原子百分比的镧；以及

第一功函层，位于所述第一高k电介质上方；以及

第二晶体管，包括：

第二半导体区；

第二高k电介质，位于所述第二半导体区上方，其中，所述第二高k电介质包括所述第一高k电介质材料和具有第二镧原子百分比的镧，并且其中，所述第二镧原子百分比低于所述第一镧原子百分比；以及

第二功函层，位于所述第二高k电介质上方，其中，所述第一功函层和所述第二功函层通过相同的材料形成。

10.一种半导体器件，包括：

体半导体衬底；

第一半导体鳍部、第二半导体鳍部、和第三半导体鳍部，位于所述体半导体衬底上方；

第一栅极堆叠件，位于所述第一半导体鳍部的第一侧壁和第一顶面上，所述第一栅极堆叠件包括：

第一界面层；以及

第一高k电介质，位于所述第一界面层上，其中，所述第一高k电介质具有第一镧原子百分比；

第二栅极堆叠件，位于所述第二半导体鳍部的第二侧壁和第二顶面上，所述第二栅极堆叠件包括：

第二界面层；以及

第二高k电介质，位于所述第二界面层上，其中，所述第二高k电介质具有低于所述第一镧原子百分比的第二镧原子百分比；以及

第三栅极堆叠件，位于所述第三半导体鳍部的第三侧壁和第三顶面上，所述第三栅极堆叠件包括：

第三界面层；以及

第三高k电介质，位于所述第三界面层上，其中，所述第三高k电介质具有低于所述第二镧原子百分比的第三镧原子百分比。