[发明专利]电容结构的制备方法、电容结构及存储器有效
| 申请号： | 202110015902.2 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112864319B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 苏星松;白卫平;郁梦康;王连红 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层；介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个钙钛矿层之间设置有无定形层，且位于至少两个钙钛矿层中最外侧的两个钙钛矿层分别与两个电极相接触。本发明通过在相邻钙钛矿层之间设置无定形层，利用无定形层可以抑制电子输出，从而减小电容结构的漏电流，提高电容结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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