[发明专利]电容结构的制备方法、电容结构及存储器

权利要求书

1.一种电容结构，其特征在于，包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间的介电层；

所述介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个所述钙钛矿层之间设置有无定形层，且至少两个所述钙钛矿层中位于最外侧的两个钙钛矿层分别与两个所述电极相接触；所述介电层包括两个或两个以上所述无定形层，位于两个所述无定形层之间的所述钙钛矿层为无掺杂的钙钛矿层；

位于最外侧的两个所述钙钛矿层中至少一个钙钛矿层包括两个分层，两个所述分层中与所述电极相接触的一个所述分层为有掺杂的钙钛矿层，另一个所述分层为无掺杂的钙钛矿层；所述有掺杂的钙钛矿层的材质为掺杂有铝的钛酸锶或者掺杂有硅的钛酸钡。

2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述无掺杂的钙钛矿层的材质为钛酸锶或者钛酸钡。

3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，两个所述分层的厚度均小于或者等于5nm。

4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层的材质包括氧化铝或者氧化硅。

5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层的厚度小于或者等于5nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层和所述钙钛矿层利用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成。

7.根据权利要求6所述的电容结构，其特征在于，位于两个所述无定形层之间的所述钙钛矿层的厚度小于或者等于5nm。

8.一种存储器，其特征在于，包括晶体管和如权利要求1-7任一项所述的电容结构。

9.一种电容结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-7任一项所述的电容结构，所述方法包括：

在第一电极上沉积形成第一钙钛矿层；所述在第一电极上沉积形成第一钙钛矿层的步骤包括：在所述第一电极上沉积形成第一分层，在所述第一分层上沉积形成第二分层，所述第一分层和所述第二分层构成所述第一钙钛矿层，其中，所述第一分层为有掺杂的钙钛矿层，所述第二分层为无掺杂的钙钛矿层，所述有掺杂的钙钛矿层的材质为掺杂有铝的钛酸锶或者掺杂有硅的钛酸钡；

在所述第一钙钛矿层上沉积形成中间层，所述中间层包括两个或两个以上无定形层，每相邻的两个无定形层之间设置有中间钙钛矿层，所述中间钙钛矿层为无掺杂的钙钛矿层；

在所述中间层上沉积形成第二钙钛矿层，所述第一钙钛矿层、所述中间层和所述第二钙钛矿层构成介电层；

在所述介电层上沉积形成第二电极。

10.根据权利要求9所述的电容结构的制备方法，其特征在于，在所述中间层上沉积形成第二钙钛矿层的步骤包括：

在所述中间层上沉积形成第三分层，所述第三分层为无掺杂的钙钛矿层；

在所述第三分层上沉积形成第四分层，所述第四分层为有掺杂的钙钛矿层，所述第三分层和所述第四分层构成所述第二钙钛矿层。