[发明专利]电容结构的制备方法、电容结构及存储器

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层；介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个钙钛矿层之间设置有无定形层，且位于至少两个钙钛矿层中最外侧的两个钙钛矿层分别与两个电极相接触。本发明通过在相邻钙钛矿层之间设置无定形层，利用无定形层可以抑制电子输出，从而减小电容结构的漏电流，提高电容结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)因具有较高的存储密度以及较快的读写速度广泛地应用在各种电子设备中。动态存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通常包括晶体管和电容结构。电容结构用于存储数据信息，晶体管用于控制电容结构中的数据信息的读写。

电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层。介电层的材质通常为氧化物，例如可以为氧化硅(SiO₂)。然而，上述介电层的介电常数较小且与电极接触时存在漏电流，电容结构的性能较差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，以解决电容结构性能较差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种电容结构，包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间的介电层；所述介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个所述钙钛矿层之间设置有无定形层，且至少两个所述钙钛矿层中位于最外侧的两个钙钛矿层分别与两个所述电极相接触。

本发明实施例提供的电容结构具有如下优点：

本发明实施例提供的电容结构包括两个电极和介电层，两个电极相对设置，两个电极之间设置有介电层，介电层包括堆叠设置的两个或者两个以上钙钛矿层，且位于最外层的两个钙钛矿层与两个电极一一对应并接触，以形成电容结构。通过在相邻钙钛矿层之间设置无定形层，利用该层可以抑制电子输出，从而减小电容结构的漏电流，提高电容结构的性能。

如上所述的电容结构中，位于最外侧的两个所述钙钛矿层中至少一个钙钛矿层包括两个分层，两个所述分层中与所述电极相接触的一个所述分层为有掺杂的钙钛矿层，另一个所述分层为无掺杂的钙钛矿层。

如上所述的电容结构中，所述有掺杂的钙钛矿层的材质为掺杂有铝的钛酸锶或者掺杂有硅的钛酸钡。

如上所述的电容结构中，所述无掺杂的钙钛矿层的材质为钛酸锶或者钛酸钡。

如上所述的电容结构中，两个所述分层的厚度均小于或者等于5nm。

如上所述的电容结构中，所述无定形层的材质包括氧化铝或者氧化硅。

如上所述的电容结构中，所述无定形层的厚度小于或者等于5nm。

如上所述的电容结构中，所述无定形层和所述钙钛矿层利用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成。

如上所述的电容结构中，所述介电层包括两个或两个以上所述无定形层，位于两个所述无定形层之间的所述钙钛矿层为无掺杂的钙钛矿层。

如上所述的电容结构中，位于两个所述无定形层之间的所述钙钛矿层的厚度小于或者等于5nm。

第二方面，本发明实施例提供了一种存储器，包括晶体管和上述电容结构。

本发明实施例提供的存储器包括晶体管和上述电容结构，因而具有上述电容结构的优点，即存储器的漏电流较低，性能较好，具体效果参照上文所述，在此不再赘述。