[发明专利]一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺在审
| 申请号： | 202110015782.6 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112768347A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺，步骤包括：执行将若干晶圆片同步进入药液内并稳定放置，且所有所述晶圆片的V型槽均朝同一方向设置；控制所述晶圆片在所述药液内以设定转速同步旋转(N+0.5)圈，N为大于1的整数；再提取所述晶圆片离开药液；其中，所述晶圆片从进入所述药液至稳定放置所用时间与所述晶圆片从静置完成后到完全被提取离开所述药液所用时间相同。本发明可使晶圆片进而保证先进入槽体中药液的部位先离开药液，最大限度地缩小晶圆片双面腐蚀厚度的差值，提高晶圆片腐蚀厚度的均匀性和一致性，从而为后续抛光加工获得合格的几何参数奠定基础，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶圆片 损伤 厚度 偏差 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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