[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110015122.8 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114724923A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 师兰芳;甘露;郑春生;张文广;吴威威 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供待处理的基底结构，所述待处理的基底结构包括基底层以及凸出于所述基底层的图形结构，所述基底结构的表面具有吸附基团；采用反应气体对所述基底结构的表面进行等离子体处理，所述反应气体与所述吸附基团发生化学反应，用于使所述基底结构表面的前驱体吸附形核点数量趋于相同；在所述等离子体处理之后，利用原子层沉积工艺，形成保形覆盖所述基底结构表面的目标层。通过对基底结构的表面进行等离子体处理，使得图形结构的顶面和侧壁、以及基底层表面的前驱体吸附形核数量相同，从而实现对基底结构表面的改性，提高了目标层的厚度均一性，进而提高了半导体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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