[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110015122.8 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114724923A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 师兰芳;甘露;郑春生;张文广;吴威威 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供待处理的基底结构，所述待处理的基底结构包括基底层以及凸出于所述基底层的图形结构，所述基底结构的表面具有吸附基团；
采用反应气体对所述基底结构的表面进行等离子体处理，所述反应气体与所述吸附基团发生化学反应，用于使所述基底结构表面的前驱体吸附形核点数量趋于相同；
在所述等离子体处理之后，利用原子层沉积工艺，形成保形覆盖所述基底结构表面的目标层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反应气体包括O2、H2或含N和H的气体。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含N和H的气体包括N2和H2的混合气体或者NH3。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述吸附基团包括羟基或氨基。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形结构和基底层的材料不同。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底层包括多个区域；
所述图形结构分别位于所述多个区域的所述基底层上，其中，所述多个区域的图形结构中的掺杂离子浓度不同，或者，所述多个区域的图形结构中的掺杂离子类型不同，或者，所述多个区域的图形结构的材料不同。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底层是衬底，所述图形结构是栅极结构，所述目标层是侧墙材料层；
或者，所述基底层中形成有待连接结构，所述图形结构是介电层，且相邻所述介电层围成导电开口，所述导电开口底部露出所述待连接结构，所述目标层是侧壁保护材料层。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的参数包括：所述反应气体为O2；工艺时间为5s至600s；腔室压强为100mtorr至30torr；所述反应气体的气体流量为1sccm至90000sccm；射频功率为50W至2000W；工艺温度为50℃至500℃。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形结构的材料包括氧化硅、氮化硅或硅材料。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的材料包括氮化硅。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺包括等离子体增强原子层沉积工艺。
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