[发明专利]一种硅片减薄净化工件及采用该工件的减薄净化工艺在审
申请号: | 202110012997.2 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN112792729A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B55/00;B08B7/00;B08B13/00;H01L21/304 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种硅片减薄净化工件,用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面,包括基片及置于所述基片一侧的吸附层;所述基片侧面与所述吸附层连接设置,且其结构与所述吸附层相适配;所述吸附层远离所述基片一侧为平面,且其面积不小于被磨所述硅片的面积,并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。本发明还提出一种采用该工件的减薄净化工艺。本发明减薄净化工件,结构简单且易于操作,可快速与放置被磨硅片的台面配合,经过空置旋转一段时间后,即可完全将台面上的磨削颗粒吸附走,同时还可吸附台面上其它硅粉颗粒,完全净化台面与被磨硅片接触的表面,保证台面洁净度,提高晶片研磨质量,提高研磨效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 净化 工件 采用 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司,未经天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110012997.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种安全性高的电气设备配电柜
- 下一篇:一种快速过氧化氢蒸汽灭菌传递窗