[发明专利]一种硅片减薄净化工件及采用该工件的减薄净化工艺

说明书

本发明提供一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。本发明还提出一种采用该工件的减薄净化工艺。本发明减薄净化工件，结构简单且易于操作，可快速与放置被磨硅片的台面配合，经过空置旋转一段时间后，即可完全将台面上的磨削颗粒吸附走，同时还可吸附台面上其它硅粉颗粒，完全净化台面与被磨硅片接触的表面，保证台面洁净度，提高晶片研磨质量，提高研磨效率。

技术领域

本发明属于半导体硅片加工技术领域，尤其是涉及一种硅片减薄净化工件及采用该工件的减薄净化工艺。

背景技术

在半导体硅片减薄过程中，由于长时间磨削硅片，导致在台面边缘由于砂轮与硅片的磨损，导致硅片表面的几何参数呈现塌边的情况，就是晶片边缘相对于晶片中间位置的磨损程度较大；而且发现与台面接触的硅片的那一面出现有划伤现象。经检查发现，台面存在大量的陶瓷孔，在研磨过程中，这些磨损的颗粒杂质会进入陶瓷孔中，还有一部分黏附于台面表面。而在硅片减薄中，要尽可能降低台面上的颗粒度，避免颗粒划伤硅片表面，使硅片表面质量划伤或损伤严重。故需要定期对台面上的颗粒杂质进行净化清洁，以保持台面的洁净度，保证硅片磨削质量。

现有的清洁方法是直接向陶瓷孔鼓泡，并调大陶瓷孔鼓泡时的气压，使里面颗粒杂质尽快排泄出来，再使用油石打磨台面，最后再使用刀片将表面的颗粒一次次刮掉，但这种方法清洁不干净，容易使已经被清洁的陶瓷孔被正在被清除的颗粒杂质填充，不仅清洁步骤繁琐，耗时长，而且清洁效率低，清洁效果差，严重制约生产进度。

发明内容

本发明提供一种硅片减薄净化工件及采用该工件的减薄净化工艺，尤其是适用于半导体硅片减薄生产，解决了现有技术中减薄台面容易残存磨削颗粒，导致硅片表面容易被颗粒划伤的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种硅片减薄净化工件，用于净化放置台面靠近被磨硅片的一侧面，包括基片及置于所述基片一侧的吸附层；所述基片侧面与所述吸附层连接设置，且其结构与所述吸附层相适配；所述吸附层远离所述基片一侧为平面，且其面积不小于被磨所述硅片的面积，并所述吸附层远离所述基片一侧具有粘性。

优选地，所述吸附层为圆形结构，且其直径小于所述台面直径。

优选地，所述吸附层厚度小于所述基片厚度，所述吸附层厚度为30-100um。

优选地，所述基片厚度为700-1000um。

优选地，所述基片为圆形，且其直径与被磨所述硅片相同；所述吸附层直径与所述基片直径相同。

一种减薄净化工艺，采用如上任一项所述的净化工件，步骤包括：放置所述工件于所述台面上，并使所述工件与所述台面同心设置，且使所述吸附层与所述台面紧贴设置；执行所述台面带动所述工件旋转一定时间，以清除所述台面表面上粘附的颗粒杂质及硅粉。

优选地，当连续研磨所述硅片一定时间后，执行如上所述的步骤，并使所述工件被旋转至少1-3h。

优选地，当更换研磨所述硅片的砂轮后，执行如上所述的步骤，并使所述工件被旋转至少1-3h。

优选地，当修正所述台面后，执行如上所述的步骤，并使所述工件被旋转至少10-14h。

优选地，控制所述台面旋转的方向与被磨所述硅片时所述台面旋转的方向一致；且所述台面旋转的速率与被磨所述硅片时所述台面旋转的速率相同。