[发明专利]图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110002544.1 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112750926B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 齐胜利;郭丽彬;刘亚柱 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 魏玉娇 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州湾*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种图形化氮化铝复合衬底、由该复合衬底制备的深紫外LED外延结构及该深紫外LED外延结构的制备方法。所述图形化氮化铝复合衬底由蓝宝石衬底、图形化氮化铝层组成，且图形化氮化铝层为表面压印有孔型图案的氮化铝层；所述深紫外LED外延结构结构从下到上依次由图形化氮化铝复合衬底、外延氮化铝层、n型AlGaN接触层、Al |
||
| 搜索关键词： | 图形 氮化 复合 衬底 深紫 led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波安芯美半导体有限公司，未经宁波安芯美半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110002544.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
